3N163-E3

制造商编号:
3N163-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
规格说明书:
3N163-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 250 欧姆 @ 100µA,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 10µA
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3.5 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-72
封装/外壳: TO-206AF,TO-72-4 金属罐
标准包装: 200

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BS250P Diodes Incorporated ¥7.30000 类似

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品牌:Vishay威世

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