SI5922DU-T1-GE3

制造商编号:
SI5922DU-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
规格说明书:
SI5922DU-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.873959 4.87
10 4.21125 42.11
100 3.141466 314.15

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19.2 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 765pF @ 15V
功率 - 最大值: 10.4W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装: PowerPAK® ChipFet 双
标准包装: 3,000

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SI5922DU-T1-GE3

型号:SI5922DU-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

库存:0

单价:

1+: ¥4.873959
10+: ¥4.21125
100+: ¥3.141466
500+: ¥2.468287
1000+: ¥1.90731
6000+: ¥1.851296

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.87