货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Polar |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 380 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 6.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 310 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 19000 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 357W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | ISOPLUSi5-Pak™ |
封装/外壳: | ISOPLUSi5-Pak™ |
标准包装: | 25 |
IXFL30N120P
型号:IXFL30N120P
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00