ZXMC4559DN8TA

制造商编号:
ZXMC4559DN8TA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
规格说明书:
ZXMC4559DN8TA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.694675 12.69
10 11.391637 113.92
100 8.878564 887.86

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.6A,2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1063pF @ 30V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 500

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ZXMC4559DN8TA

型号:ZXMC4559DN8TA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

库存:0

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1+: ¥12.694675
10+: ¥11.391637
100+: ¥8.878564
500+: ¥7.334339
1000+: ¥5.790276

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