货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥10.978842 | ¥10.98 |
10 | ¥9.82625 | ¥98.26 |
100 | ¥7.658209 | ¥765.82 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | NexFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 8 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9.9 毫欧 @ 1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.05V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | -6V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1390 pF @ 4 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 600mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 4-PICOSTAR |
封装/外壳: | 4-XFLGA |
标准包装: | 250 |
CSD22205LT
型号:CSD22205LT
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
库存:0
单价:
1+: | ¥10.978842 |
10+: | ¥9.82625 |
100+: | ¥7.658209 |
250+: | ¥7.159001 |
500+: | ¥6.32635 |
1000+: | ¥5.297273 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.98