- 制造商编号：
- TSM150NB04LDCR RLG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- 规格说明书：
- TSM150NB04LDCR RLG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.64811 | ￥18.65 |
| 10 | ￥16.736564 | ￥167.37 |
| 100 | ￥13.454451 | ￥1345.45 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Ta），37A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 15 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 18nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 966pF @ 20V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta），40W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
TSM150NB04LDCR RLG
型号：TSM150NB04LDCR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
库存：0
单价：
| 1+： | ￥18.64811 |
| 10+： | ￥16.736564 |
| 100+： | ￥13.454451 |
| 500+： | ￥11.054203 |
| 1000+： | ￥9.159197 |
| 5000+： | ￥9.475029 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.65