SE20DB-M3/I

制造商编号:
SE20DB-M3/I
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC
规格说明书:
SE20DB-M3/I说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.550787 11.55
10 10.303699 103.04
4000 5.593291 22373.16

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: eSMP®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 3.9A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 20 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 150pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装: TO-263AC(SMPD)
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 2,000

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SE20DB-M3/I

型号:SE20DB-M3/I

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC

库存:0

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1+: ¥11.550787
10+: ¥10.303699
4000+: ¥5.593291

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