库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.936227 | ￥11.94 |
| 10 | ￥10.626972 | ￥106.27 |
| 100 | ￥8.287223 | ￥828.72 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 12 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值: | 65 W |
| 开关能量: | - |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 13.5 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 17ns/69ns |
| 测试条件: | 400V，4A，50欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 40 ns |
| 工作温度: | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | LPDS |
| 标准包装: | 1,000 |
RGT8NS65DGTL
型号：RGT8NS65DGTL
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S
库存：0
单价：
| 1+： | ￥11.936227 |
| 10+： | ￥10.626972 |
| 100+： | ￥8.287223 |
| 500+： | ￥6.846123 |
| 1000+： | ￥5.404823 |
| 2000+： | ￥5.098895 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.94