库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.799257 | ￥8397.77 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 57.4nC @ 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2607pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2.14W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | W-DFN5020-6 |
| 标准包装: | 3,000 |
DMN2013UFX-7
型号：DMN2013UFX-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥2.799257 |
货期：1-2天
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