货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥12.694675 | ¥12.69 |
10 | ¥11.391637 | ¥113.92 |
100 | ¥8.878564 | ¥887.86 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 800mA,680mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 700 毫欧 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.9nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 138pF @ 60V |
功率 - 最大值: | 870mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
ZXMHC10A07N8TC
型号:ZXMHC10A07N8TC
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥12.694675 |
10+: | ¥11.391637 |
100+: | ¥8.878564 |
500+: | ¥7.334339 |
1000+: | ¥5.790276 |
2500+: | ¥5.404239 |
5000+: | ¥5.263851 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.69