SPP80N06S2-09

制造商编号:
SPP80N06S2-09
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
规格说明书:
SPP80N06S2-09说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.1 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 125µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3140 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 190W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
HUF75339P3 onsemi ¥16.51000 直接
STP141NF55 STMicroelectronics ¥22.65000 类似
HUF75344P3 onsemi ¥24.04000 类似

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SPP80N06S2-09

型号:SPP80N06S2-09

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

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