DMTH6004SK3Q-13

制造商编号:
DMTH6004SK3Q-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252
规格说明书:
DMTH6004SK3Q-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 14.509976 14.51
10 13.014218 130.14
100 10.14629 1014.63

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.8 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 95.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4556 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),180W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NP90N055VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc ¥14.05000 类似

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DMTH6004SK3Q-13

型号:DMTH6004SK3Q-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥14.509976
10+: ¥13.014218
100+: ¥10.14629
500+: ¥8.381718
1000+: ¥6.617146
2500+: ¥6.176003
5000+: ¥6.015585

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