STQ1HN60K3-AP

制造商编号:
STQ1HN60K3-AP
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
规格说明书:
STQ1HN60K3-AP说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.181118 7.18
10 6.294307 62.94
100 4.823318 482.33

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH3™
包装: 剪切带(CT) 带盒(TB)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 140 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
标准包装: 2,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics ¥7.14000 直接

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STQ1HN60K3-AP

型号:STQ1HN60K3-AP

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

库存:0

单价:

1+: ¥7.181118
10+: ¥6.294307
100+: ¥4.823318
500+: ¥3.813128
1000+: ¥3.050493
2000+: ¥3.033167

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