库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 35V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A，5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 7.7nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 900mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 标准包装: | 2,500 |
FDS8960C
型号：FDS8960C
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
库存：0
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00