NVTR01P02LT1G

制造商编号:
NVTR01P02LT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
规格说明书:
NVTR01P02LT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.468251 4.47
10 3.378545 33.79
100 2.10441 210.44

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 @ 750mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1 nC @ 4 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF @ 5 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 400mW(Ta)
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMN70XPEAX Nexperia USA Inc. ¥1.65771 类似

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NVTR01P02LT1G

型号:NVTR01P02LT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

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