库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.334751 | ￥31.33 |
| 10 | ￥28.126046 | ￥281.26 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ V |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 299 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1250 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 90W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPB60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | ¥18.51000 | 类似 |
| IPB60R280C6ATMA1 | Infineon Technologies | ¥25.11000 | 类似 |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥30.64000 | 类似 |
STB16N65M5
型号：STB16N65M5
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥31.334751 |
| 10+： | ￥28.126046 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.33