货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥16.524215 | ¥16.52 |
10 | ¥14.752431 | ¥147.52 |
100 | ¥11.501177 | ¥1150.12 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 92 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1870 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 120W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,000 |
IRLR3915TRPBF
型号:IRLR3915TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥16.524215 |
10+: | ¥14.752431 |
100+: | ¥11.501177 |
500+: | ¥9.500814 |
1000+: | ¥8.333973 |
2000+: | ¥8.333973 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.52