TK100E08N1,S1X

制造商编号:
TK100E08N1,S1X
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
规格说明书:
TK100E08N1,S1X说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 36.194122 36.19
10 32.495135 324.95
100 26.627236 2662.72

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSVIII-H
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9000 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 255W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

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TK100E08N1,S1X

型号:TK100E08N1,S1X

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥36.194122
10+: ¥32.495135
100+: ¥26.627236
500+: ¥22.667244
1000+: ¥19.11695
2000+: ¥18.620415

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥36.19