BSD223PH6327XTSA1

制造商编号:
BSD223PH6327XTSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
规格说明书:
BSD223PH6327XTSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.960994 4.96
10 3.715151 37.15
100 2.311774 231.18

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 390mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 1.5µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 56pF @ 15V
功率 - 最大值: 250mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-6-1
标准包装: 3,000

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BSD223PH6327XTSA1

型号:BSD223PH6327XTSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

库存:0

单价:

1+: ¥4.960994
10+: ¥3.715151
100+: ¥2.311774
500+: ¥1.582072
1000+: ¥1.216911
3000+: ¥1.095236
6000+: ¥1.034374

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