S4B V6G

制造商编号:
S4B V6G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
规格说明书:
S4B V6G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 60pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

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S4B V6G

型号:S4B V6G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

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