BYD33MGPHE3/54

制造商编号:
BYD33MGPHE3/54
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
规格说明书:
BYD33MGPHE3/54说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 300 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 5,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N4006G-T Diodes Incorporated ¥3.00000 类似
1N6623 WEC ¥77.75950 类似
RGP10K onsemi ¥3.07000 类似
UF4007 onsemi ¥3.76000 类似
1N4006RLG onsemi ¥2.30000 类似

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BYD33MGPHE3/54

型号:BYD33MGPHE3/54

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

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