RFN1LAM6STR

制造商编号:
RFN1LAM6STR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
规格说明书:
RFN1LAM6STR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.548041 4.55
10 3.370566 33.71
100 1.910975 191.10

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.45 V @ 800 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: PMDTM
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

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RFN1LAM6STR

型号:RFN1LAM6STR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

库存:0

单价:

1+: ¥4.548041
10+: ¥3.370566
100+: ¥1.910975
500+: ¥1.265267
1000+: ¥0.969998
3000+: ¥0.843508
6000+: ¥0.759158
15000+: ¥0.674809
30000+: ¥0.632634
75000+: ¥0.575116

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.55