SI4565ADY-T1-E3

制造商编号:
SI4565ADY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
规格说明书:
SI4565ADY-T1-E3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.6A,5.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 39 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 625pF @ 20V
功率 - 最大值: 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

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SI4565ADY-T1-E3

型号:SI4565ADY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC

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