ZXMN10A09KTC

制造商编号:
ZXMN10A09KTC
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
规格说明书:
ZXMN10A09KTC说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.854607 17.85
10 16.070389 160.70
100 12.920096 1292.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1313 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.15W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

客服

购物车

ZXMN10A09KTC

型号:ZXMN10A09KTC

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3

库存:0

单价:

1+: ¥17.854607
10+: ¥16.070389
100+: ¥12.920096
500+: ¥10.614937
1000+: ¥8.795259
2500+: ¥8.271408

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥17.85