TK20P04M1,RQ(S

制造商编号:
TK20P04M1,RQ(S
制造商:
Toshiba东芝
描述:
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
规格说明书:
TK20P04M1,RQ(S说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2000 3.37883 6757.66

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: U-MOSVI-H
包装: 卷带(TR)
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 985 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 27W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,000

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型号 品牌 参考价格 说明
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ¥11.98000 类似

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型号:TK20P04M1,RQ(S

品牌:Toshiba东芝

描述:MOSFET N-CH 40V 20A DPAK

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