货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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50 | ¥98.177458 | ¥4908.87 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | POWER MOS 8™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 121 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 202 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.5V @ 15V,40A |
功率 - 最大值: | 520 W |
开关能量: | 715µJ(开),607µJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 198 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 21ns/133ns |
测试条件: | 400V,40A,4.7 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 22 ns |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装: | TO-264 [L] |
标准包装: | 1 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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RJH60D7BDPQ-E0#T2 | Renesas Electronics America Inc | ¥47.00000 | 类似 |
APT68GA60LD40
型号:APT68GA60LD40
品牌:Microchip微芯
描述:IGBT 600V 121A 520W TO-264
库存:0
单价:
50+: | ¥98.177458 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00