STP80NF12

制造商编号:
STP80NF12
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
规格说明书:
STP80NF12说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 34.279352 34.28
10 30.812873 308.13
100 25.243504 2524.35

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: STripFET™ II
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 189 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4300 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF8010PBF Infineon Technologies ¥19.12000 类似
FDP3651U onsemi ¥18.51000 类似
IPP147N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ¥17.66000 类似
IRF3710PBF Infineon Technologies ¥15.05000 类似
HUF75639P3 onsemi ¥20.81000 类似

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STP80NF12

型号:STP80NF12

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB

库存:0

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1+: ¥34.279352
10+: ¥30.812873
100+: ¥25.243504
500+: ¥21.489387
1000+: ¥20.595077

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