DMN3016LFDE-7

制造商编号:
DMN3016LFDE-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
规格说明书:
DMN3016LFDE-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.488519 4.49
10 3.656713 36.57
100 2.487336 248.73

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 25.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1415 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 730mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳: 6-PowerUDFN
标准包装: 3,000

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DMN3016LFDE-7

型号:DMN3016LFDE-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN

库存:0

单价:

1+: ¥4.488519
10+: ¥3.656713
100+: ¥2.487336
500+: ¥1.865409
1000+: ¥1.39905
3000+: ¥1.282461
6000+: ¥1.204738

货期:1-2天

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