- 制造商编号：
- IPB65R110CFDAATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
- 规格说明书：
- IPB65R110CFDAATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥85.269423 | ￥85.27 |
| 10 | ￥77.022236 | ￥770.22 |
| 100 | ￥63.763947 | ￥6376.39 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 12.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 1.3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 118 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3240 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 277.8W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 1,000 |
IPB65R110CFDAATMA1
型号：IPB65R110CFDAATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥85.269423 |
| 10+： | ￥77.022236 |
| 100+： | ￥63.763947 |
| 500+： | ￥59.703715 |
| 1000+： | ￥59.703703 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥85.27