STGD5H60DF

制造商编号:
STGD5H60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
规格说明书:
STGD5H60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 11.650255 11.65
10 10.418088 104.18
100 8.119121 811.91

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V @ 15V,5A
功率 - 最大值: 83 W
开关能量: 56µJ(开),78.5µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 43 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/140ns
测试条件: 400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 134.5 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
标准包装: 2,500

客服

购物车

STGD5H60DF

型号:STGD5H60DF

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

库存:0

单价:

1+: ¥11.650255
10+: ¥10.418088
100+: ¥8.119121
500+: ¥6.707289
1000+: ¥5.616268
2500+: ¥5.616231

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥11.65