库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.260908 | ￥7.26 |
| 25 | ￥5.970131 | ￥149.25 |
| 100 | ￥5.48854 | ￥548.85 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 10 pF @ 25 V |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-89-3 |
| 封装/外壳: | TO-243AA |
| 标准包装: | 2,000 |
LND150N8-G
型号：LND150N8-G
品牌：Microchip微芯
描述：MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.260908 |
| 25+： | ￥5.970131 |
| 100+： | ￥5.48854 |
| 2000+： | ￥5.488585 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.26