STGWA60V60DF

制造商编号:
STGWA60V60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
规格说明书:
STGWA60V60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
600 33.606597 20163.96

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 375 W
开关能量: 750µJ(开),550µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 334 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 60ns/208ns
测试条件: 400V,60A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 74 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247 长引线
标准包装: 30

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STGWA60V60DF

型号:STGWA60V60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT BIPO 600V 60A TO247-3

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