SIB900EDK-T1-GE3

制造商编号:
SIB900EDK-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
规格说明书:
SIB900EDK-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.901398 4.90
10 4.227741 42.28
100 3.155816 315.58

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 225 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SC-75-6L 双
供应商器件封装: PowerPAK® SC-75-6L 双
标准包装: 3,000

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SIB900EDK-T1-GE3

型号:SIB900EDK-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

库存:0

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1+: ¥4.901398
10+: ¥4.227741
100+: ¥3.155816
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