1N5621

制造商编号:
1N5621
制造商:
Microchip微芯
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
规格说明书:
1N5621说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V @ 3 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 300 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 12V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: A,轴向
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N5062GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥5.22000 类似
RGP10M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.23000 类似
1N4006G-T Diodes Incorporated ¥3.00000 类似
SF4007-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥6.30000 类似
1N4006GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.99000 类似

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型号:1N5621

品牌:Microchip微芯

描述:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

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