库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.442894 | ￥43.44 |
| 10 | ￥39.025246 | ￥390.25 |
| 100 | ￥31.974293 | ￥3197.43 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | FRFET®, SuperFET® II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 3.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 145 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4895 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 357W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP33N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.93000 | 类似 |
| STP34N65M5 | STMicroelectronics | ¥51.99000 | 类似 |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | ¥47.38000 | 类似 |
| STP30N65M5 | STMicroelectronics | ¥53.60000 | 类似 |
FCP110N65F
型号：FCP110N65F
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥43.442894 |
| 10+： | ￥39.025246 |
| 100+： | ￥31.974293 |
| 500+： | ￥27.218701 |
| 1000+： | ￥26.085866 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.44