BSO119N03S

制造商编号:
BSO119N03S
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
规格说明书:
BSO119N03S说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.9 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1730 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.56W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-DSO-8
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated ¥4.38000 类似
AO4468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥4.38000 类似

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BSO119N03S

型号:BSO119N03S

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

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