货期: 国内(1~2天)
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.103078 | ¥4.10 |
10 | ¥3.3036 | ¥33.04 |
100 | ¥2.248735 | ¥224.87 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): | 35 V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): | 20 mA @ 15 V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): | 3 V @ 1 µA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
电阻 - RDS(On): | 30 Ohms |
功率 - 最大值: | 625 mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
供应商器件封装: | TO-92-3 |
标准包装: | 10,000 |
属性 | 属性值 |
---|---|
规格书 | J112 Datasheet |
环保信息 | Material Declaration J111 |
PCN 设计/规格 | Logo 17/Aug/2017 |
PCN 组装/来源 | Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020 |
PCN 封装 | Mult Devices 24/Oct/2017 |
EDA 模型 | J111 by SnapEDA |
J111
型号:J111
品牌:ON安森美
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
库存:14436
单价:
1+: | ¥4.103078 |
10+: | ¥3.3036 |
100+: | ¥2.248735 |
500+: | ¥1.686465 |
1000+: | ¥1.264805 |
2000+: | ¥1.15943 |
5000+: | ¥1.117902 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.10