库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.730071 | ￥3.73 |
| 10 | ￥3.017627 | ￥30.18 |
| 25 | ￥2.524512 | ￥63.11 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 310mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2 欧姆 @ 100mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 500 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 31 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 480mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | X1-DFN1212-3 |
| 封装/外壳: | 3-UDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
DMN62D0LFD-7
型号：DMN62D0LFD-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.730071 |
| 10+： | ￥3.017627 |
| 25+： | ￥2.524512 |
| 100+： | ￥1.59846 |
| 250+： | ￥1.233709 |
| 500+： | ￥1.051333 |
| 1000+： | ￥0.71493 |
| 3000+： | ￥0.644867 |
| 6000+： | ￥0.560742 |
| 15000+： | ￥0.476641 |
| 30000+： | ￥0.448603 |
| 75000+： | ￥0.420566 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.73