库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microsemi(美高森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 200 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 700 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 30 @ 25mA，10V |
| 功率 - 最大值: | 1 W |
| 频率 - 跃迁: | - |
| 工作温度: | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 供应商器件封装: | TO-5 |
| 标准包装: | 1 |
2N5012
型号：2N5012
品牌：Microsemi美高森美
描述：NPN SILICON TRANSISTOR
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货期：1-2天
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