RGL41MHE3_A/H

制造商编号:
RGL41MHE3_A/H
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
规格说明书:
RGL41MHE3_A/H说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
12000 1.588862 19066.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)
供应商器件封装: DO-213AB
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 1,500

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RGL41MHE3_A/H

型号:RGL41MHE3_A/H

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

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