IDH08G65C5XKSA1

制造商编号:
IDH08G65C5XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
规格说明书:
IDH08G65C5XKSA1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolSiC™+
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 8 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 280 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: 250pF @ 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-2
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STPSC406D STMicroelectronics ¥15.82000 类似
STPSC1006D STMicroelectronics ¥35.79000 类似
STPSC4H065D STMicroelectronics ¥18.12000 类似

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IDH08G65C5XKSA1

型号:IDH08G65C5XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2

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