QS8M31TR

制造商编号:
QS8M31TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+
规格说明书:
QS8M31TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 7.261205 7.26
10 6.378421 63.78
100 4.88975 488.98

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta),2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 112mOhm @ 3A,10V,210mOhm @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA,3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC @ 5V,7.2nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 270pF @ 10V,750pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.1W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
标准包装: 3,000

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QS8M31TR

型号:QS8M31TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

库存:0

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1+: ¥7.261205
10+: ¥6.378421
100+: ¥4.88975
500+: ¥3.865249
1000+: ¥3.092204
3000+: ¥2.802303
6000+: ¥2.635395

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