货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥20.913265 | ¥20.91 |
10 | ¥18.792098 | ¥187.92 |
100 | ¥15.101565 | ¥1510.16 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 40 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 680 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 78W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220AB |
封装/外壳: | TO-220-3 |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | ¥22.58000 | 类似 |
STP12N65M5 | STMicroelectronics | ¥23.81000 | 类似 |
STP13NK60Z | STMicroelectronics | ¥20.43000 | 类似 |
STP11N60DM2 | STMicroelectronics | ¥13.52000 | 类似 |
IXFP10N60P | IXYS | ¥31.18000 | 类似 |
SIHP7N60E-GE3
型号:SIHP7N60E-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
库存:0
单价:
1+: | ¥20.913265 |
10+: | ¥18.792098 |
100+: | ¥15.101565 |
500+: | ¥12.407683 |
1000+: | ¥10.635116 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.91