APTM100A13SCG

制造商编号:
APTM100A13SCG
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
规格说明书:
APTM100A13SCG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
4 3458.413037 13833.65

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 1000V(1kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 156 毫欧 @ 32.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 562nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 15200pF @ 25V
功率 - 最大值: 1250W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP6
供应商器件封装: SP6
标准包装: 1

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APTM100A13SCG

型号:APTM100A13SCG

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

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