SIHG20N50E-GE3

制造商编号:
SIHG20N50E-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
规格说明书:
SIHG20N50E-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
500 20.574077 10287.04

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 184 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 92 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1640 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 179W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXFR44N50Q3 IXYS ¥186.00000 类似
IXFH30N50P IXYS ¥70.50000 类似

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SIHG20N50E-GE3

型号:SIHG20N50E-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC

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