货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥9.834954 | ¥9.83 |
10 | ¥8.804211 | ¥88.04 |
100 | ¥6.865693 | ¥686.57 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 36 毫欧 @ 1.25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.8nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 572pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 27.8W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装,可润湿侧翼 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8W 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8W 双 |
标准包装: | 3,000 |
SQS966ENW-T1_GE3
型号:SQS966ENW-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CHAN 60V
库存:0
单价:
1+: | ¥9.834954 |
10+: | ¥8.804211 |
100+: | ¥6.865693 |
500+: | ¥5.671871 |
1000+: | ¥4.477776 |
3000+: | ¥4.477776 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.83