SQS966ENW-T1_GE3

制造商编号:
SQS966ENW-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CHAN 60V
规格说明书:
SQS966ENW-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.834954 9.83
10 8.804211 88.04
100 6.865693 686.57

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 36 毫欧 @ 1.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 572pF @ 25V
功率 - 最大值: 27.8W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8W 双
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8W 双
标准包装: 3,000

客服

购物车

SQS966ENW-T1_GE3

型号:SQS966ENW-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CHAN 60V

库存:0

单价:

1+: ¥9.834954
10+: ¥8.804211
100+: ¥6.865693
500+: ¥5.671871
1000+: ¥4.477776
3000+: ¥4.477776

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥9.83