货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.730419 | ¥4.73 |
10 | ¥3.799153 | ¥37.99 |
100 | ¥2.588508 | ¥258.85 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.5 欧姆 @ 10mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | - |
功率 - 最大值: | 400mW |
工作温度: | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | X2-DFN1310-6(B 类) |
标准包装: | 3,000 |
DMN2005DLP4K-7
型号:DMN2005DLP4K-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
库存:0
单价:
1+: | ¥4.730419 |
10+: | ¥3.799153 |
100+: | ¥2.588508 |
500+: | ¥1.941227 |
1000+: | ¥1.45592 |
3000+: | ¥1.334594 |
6000+: | ¥1.253709 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.73