库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.730419 | ￥4.73 |
| 10 | ￥3.799153 | ￥37.99 |
| 100 | ￥2.588508 | ￥258.85 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 300mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 900mV @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 400mW |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | X2-DFN1310-6（B 类） |
| 标准包装: | 3,000 |
DMN2005DLP4K-7
型号：DMN2005DLP4K-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.730419 |
| 10+： | ￥3.799153 |
| 100+： | ￥2.588508 |
| 500+： | ￥1.941227 |
| 1000+： | ￥1.45592 |
| 3000+： | ￥1.334594 |
| 6000+： | ￥1.253709 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.73