库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.377062 | ￥4.38 |
| 3000 | ￥1.25225 | ￥3756.75 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 188 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 600mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
DMN2230U-7
型号：DMN2230U-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.377062 |
| 3000+： | ￥1.25225 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.38