货期: 8周-10周
封装: 盒
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥241.422348 | ¥241.42 |
10 | ¥222.703567 | ¥2227.04 |
100 | ¥190.1739 | ¥19017.39 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Polar |
包装: | 盒 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 115A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V,15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 18 毫欧 @ 70A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 4mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 240 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7500 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 680W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
供应商器件封装: | SOT-227B |
封装/外壳: | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装: | 10 |
IXFN140N20P
型号:IXFN140N20P
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
库存:0
单价:
1+: | ¥241.422348 |
10+: | ¥222.703567 |
100+: | ¥190.1739 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥241.42