库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.380226 | ￥8.38 |
| 10 | ￥7.338293 | ￥73.38 |
| 100 | ￥5.627185 | ￥562.72 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Goford Semiconductor |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 12 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1938pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 20W（Tc） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（3x3） |
| 标准包装: | 5,000 |
G33N03D3
型号：G33N03D3
品牌：Goford Semiconductor
描述：N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
库存：0
单价：
| 1+： | ￥8.380226 |
| 10+： | ￥7.338293 |
| 100+： | ￥5.627185 |
| 500+： | ￥4.448483 |
| 1000+： | ￥3.558786 |
| 2000+： | ￥3.225156 |
| 5000+： | ￥3.033692 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.38